专利名称：基于外延生长来制造半导体设备的方法专利类型：发明专利
发明人：孙燕亭,塞巴斯蒂安·卢尔杜多斯申请号：CN201380019784.6申请日：20130328公开号：CN104221129A公开日：20141217
摘要：制造半导体设备的方法以及通过其制造的半导体，包括使具备具有非常少晶体缺陷的半导体晶体的突变异质结在异质衬底(50)上从种晶岛状台面上生长，以用作发光和光伏设备。
申请人：坦德姆太阳能股份公司
地址：瑞典索伦图纳
国籍：SE
代理机构：北京挚诚信奉知识产权代理有限公司
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