专利名称：在FINFET器件上形成替代栅极结构的方法及其得
到的器件
专利类型：发明专利发明人：谢瑞龙,蔡秀雨申请号：CN201510745195.7申请日：20151105公开号：CN105590865A公开日：20160518
摘要：本发明涉及一种在FINFET器件上形成替代栅极结构的方法及其得到的器件。其中，本发明揭露一种方法包括，除其他方法之外，形成具有上表面及多个侧表面的鳍部，形成包括具有密度小于1.8克/立方厘米的低密度氧化材料且与该鳍部的该上表面及该测表面相接触，以及位于该低密度氧化材料的该上表面上并与其相接触的牺牲栅极材料的牺牲栅极结构，并且形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构。该方法更包括去除该牺牲栅极材料，以便从而暴露出该低密度氧化材料以定义替代栅极孔，并且在该替代栅极孔中形成替代栅极结构。
申请人：格罗方德半导体公司
地址：英属开曼群岛大开曼岛
国籍：KY
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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