专利名称：制造磁隧道结装置的方法专利类型：发明专利
发明人：金晥均,卢恩仙,李俊明,林佑昶,郑峻昊申请号：CN201910404401.6申请日：20190516公开号：CN110504356A公开日：20191126
摘要：提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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