（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200910148966.9 （22）申请日 2005.06.15
（71）申请人 株式会社半导体能源研究所
地址 日本神奈川县厚木市
（10）申请公布号 CN101599456A
（43）申请公布日 2009.12.09
（72）发明人 鹤目卓也;大力浩二
（74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司
代理人 王丹昕
（51）Int.CI
H01L21/77; H01L21/78;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
制造薄膜集成电路的方法
（57）摘要
本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移
到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供
有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。
法律状态
法律状态公告日
2009-12-09 2009-12-09 2010-02-03 2010-02-03 2011-03-09 2011-03-09 2019-05-31
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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