专利名称：超高精度低代价高阶补偿带隙基准电路专利类型：发明专利
发明人：杨平,岑远军,李永凯,李大刚,齐旭,刘建康申请号：CN201810451456.8申请日：20180511公开号：CN108469866A公开日：20180831
摘要：超高精度低代价高阶补偿带隙基准电路，涉及集成电路。本发明包括：串联的第一PMOS管和第六NMOS管，串联的第二PMOS管和第七NMOS管，第七NMOS管的源极接晶体管组的输入端，晶体管组的输出端和控制端接地；第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的宽长比相同，均为一个单位宽长比；第六NMOS管和第七NMOS管的宽长比相同；第四PMOS管和第五PMOS管的宽长比均为2.375倍单位宽长比，第一电阻R1的电阻值R＝35424Ω，第二电阻R2的电阻值R＝119260.8Ω。本发明可以获得高精度带隙基准电压。
申请人：成都华微电子科技有限公司
地址：610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
国籍：CN
代理机构：成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人：刘勋
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