专利名称：有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制
造方法
专利类型：发明专利发明人：西田拓生申请号：CN96119206.2申请日：19961019公开号：CN1155757A公开日：19970730
摘要：一种制造LDD结构的MOS晶体管和双极晶体管[或肖特基S chottky)势至二极管(SBD)]，在MOS晶体管区和双极晶体管区(或SBD)上面，形成栅绝缘层(8)。然后，在MOS晶体管区上面，形成栅电极(G、G’)。在整个表面上面，形成绝缘层，利用反应离子腐蚀工艺，对其进行深腐蚀，以便形成侧壁隔离层(12)。利用栅电极和其侧壁隔离层作为掩模。通过湿腐蚀工艺、腐蚀MOS晶体管区和双极晶体管区。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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