专利名称：氮化镓晶体膜的制造方法专利类型：发明专利
发明人：纐缬明伯,村上尚,山口晃申请号：CN201880059754.0申请日：20180913公开号：CN111094619A公开日：20200501
摘要：一种氮化镓晶体膜的制造方法，包括在基板上供给由惰性气体构成的载气、GaCl气体、卤素气体以及NH气体而在所述基板上生长氮化镓晶体膜的生长工序，在所述生长工序中，在将所述基板上的所述卤素气体的分压与所述GaCl气体的分压之比作为分压比[P/P]的情况下，分压比[P/P]为0.20以上。
申请人：国立大学法人东京农工大学,大阳日酸株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京市铸成律师事务所
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