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包括多个光学有源区的半导体激光器

2022-12-29 来源:钮旅网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN02805119.X (22)申请日 2002.02.15 (71)申请人 格拉斯哥大学理事会

地址 英国格拉斯哥

(10)申请公布号 CN1528036A (43)申请公布日 2004.09.08

(72)发明人 约翰·H·马什;金新成

(74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

代理人 李晓舒

(51)Int.CI

H01S5/10; H01S5/12; H01S5/34; H01L33/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

包括多个光学有源区的半导体激光器

(57)摘要

本发明公开了一种改进的半导体激光器件

(10),并且特别是一种具有单叶远场图案的大面积半导体激光器。已知的大面积激光器使用于高功率应用,但存在诸如丝化现象、横模不稳、以及较差的远场特性等许多问题。本发明通过提供

半导体激光器件(10)解决上述问题,该器件包括:多个光学有源区(240);每个光学有源区包括量子阱(QW)结构(77);相邻的光学有源区由光学无源区(245)隔开;该/每个光学无源区(245)为量子阱混合(QWI)部。相邻光学有源区(240)之间的间隔通常可称作“分段”。

法律状态

法律状态公告日

2004-09-08 2004-11-10 2006-06-28 2010-09-22

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

包括多个光学有源区的半导体激光器的说明书内容是....请下载后查看

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