专利名称：一种氮化镓基发光二极管外延结构专利类型：实用新型专利
发明人：刘建明,朱学亮,陈秉扬,刘信佑,赖昭序,张中英申请号：CN201821331074.3申请日：20180817公开号：CN209133526U公开日：20190719
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延结构，该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、具有V型坑的发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，与所述第二半导体层形成电性连接；在发光层与第二半导体层之间设置电子阻挡层，电子阻挡层具有水平部分以及与V型坑对应的V型部分，水平部分和/或V型部分表面具有复数个孔洞结构，孔洞具有改善空穴注入的效果，提高了辐射复合发光效率。
申请人：厦门三安光电有限公司
地址：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
国籍：CN
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