专利名称：硅片边缘氧化膜多种范围去除装置专利类型：实用新型专利
发明人：李耀东,刘佐星,孙洪波,王海涛,冯丽,徐继平,张果虎申请号：CN201120354468.2申请日：20110921公开号：CN202259196U公开日：20120530
摘要：一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。所述可充气气囊圈的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1～5毫米。所述槽盖的外周设有密封圈。所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。通过控制可充气气囊圈中的气体的多少以及可充气气囊圈与硅片的相对位置，来控制可充气气囊圈与硅片的接触面积，从而实现硅片边缘氧化膜多种范围的去除，操作方便，便于推广使用。
申请人：有研半导体材料股份有限公司
地址：100088 北京市西城区新街口外大街2号
国籍：CN
代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人：程凤儒
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