专利名称：具有调制的纳米线数目的半导体器件专利类型：发明专利
发明人：A·卡佩拉尼,K·J·库恩,R·里奥斯,G·比马拉塞蒂,T·加
尼,S·金
申请号：CN201180076435.9申请日：20111223公开号：CN104126221A公开日：20141029
摘要：描述了具有调制纳米线数目的半导体器件和形成这种器件的方法例如，半导体结构包括第一半导体器件，第一半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第一最高纳米线的第一垂直平面中叠置的多个纳米线。第二半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第二最高纳米线的第二垂直平面中叠置的一个或多个纳米线。第二半导体器件包括比第一半导体器件少一个或多个的纳米线。第一和第二最高纳米线设置于与第一和第二垂直平面正交的平面中。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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