专利名称：金属氧化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：高境鸿
申请号：CN200710102583.9申请日：20070516公开号：CN101308814A公开日：20081119
摘要：一种金属氧化物半导体元件的制造方法。首先，在基底上形成多个晶体管的栅极与源极/漏极区。接着，在基底中形成一光电二极管掺杂区与一浮置节点掺杂区。之后，在基底上形成由一底层、一中间层与一顶层所构成的间隙壁堆叠层，以覆盖各晶体管的栅极。之后，在基底上形成一第一掩模层，其具有一开口，至少裸露出光电二极管掺杂区。其后，去除开口所裸露的顶层。然后，去除第一掩模层，再于开口所裸露的区域上覆盖一第二掩模层。之后，去除部分未被第二掩模层所覆盖的顶层与中间层，以在栅极的侧壁上形成间隙壁。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陶凤波
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容