（12）实用新型专利
（21）申请号 CN200820109320.0 （22）申请日 2008.07.18
（71）申请人 北京天能运通晶体技术有限公司
地址 100034 北京市西城区德胜门外大街11号C座3室
（10）申请公布号 CN201224778Y
（43）申请公布日 2009.04.22
（72）发明人 朱仁德;刘旭峰
（74）专利代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 闫立德
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置
（57）摘要
本实用新型属于一种提高单晶硅炉晶
体生长速度的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有上下端开口的导流筒，导流筒由导流内筒和导流外筒所组成，导流内筒呈倒圆锥形，导流外筒呈圆筒形，导流外筒下周边向内收缩与导流内筒外周边连成一体，导流内筒上周边与导流外筒上周边连成一体并卡固在下保温盖上，导流内筒和导流外筒之间设有隔热材料层。本实用新型能有效保证炉膛内两种温度的互相衔接，可大幅度提高炉膛内晶体生长速度，还有提高硅晶质量，
降低制作成本的优点。 法律状态
法律状态公告日
2009-04-22 2009-04-22 2012-09-05 2012-09-05 2018-08-10
法律状态信息
授权 授权
文件的公告送达 文件的公告送达 专利权的终止
法律状态
授权 授权
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权利要求说明书
一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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