专利名称：MRAM器件及其制造方法及包括MRAM的电子设
备
专利类型：发明专利发明人：朱慧珑
申请号：CN201910601904.2申请日：20190704公开号：CN110323247A公开日：20191011
摘要：公开了一种磁性随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法及包括这种MRAM的电子设备。根据实施例，MRAM器件可以包括第一数量的第一MRAM单元和第二数量的第二MRAM单元。第一MRAM单元可以具有第一切换电流密度和/或切换磁场强度，而第二MRAM单元可以具有小于第一切换电流密度和/或切换磁场强度的第二切换电流密度和/或切换磁场强度。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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