，＇＇■ｒ——————————————————————————————一 一 ｌ【 【—■ 日巾国集成电路 ● Ｃｈｉｎａ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ ＡＤ Ｉ携手Ｘ ｉ ｌｌ ｉ ｎｘ 业界要闻 … 一…’ （车内信息显示）。新产品将于２０１０年９月底上市。 该车载系统ＬＳＩ器件系列整合了ＦＲ８１Ｓ这款高性 能的ＣＰＵ核心，ＦＲ８１Ｓ是一款成就卓越的车载微控 简化无线基础设施系统设计 ＡＤＩ最近与Ｘｉｌｉｎｘ，携手合作推出一款无线电 结构开发平台，帮助多载波蜂窝基站制造商节省工 制器（系统控制器），并集合图形显示控制器和视频 捕捉功能及通信功能为～体。 富士通半导体还同时宣布未来针对段显示仪表 程设计资源，缩短上市时间。ＡＤＩ公司的ＭＳ—ＤＰＤ （混合信号、数字预失真）开发平台允许ＯＥＭ厂家 快速评估并重新编程无线电，从发射路径消除非线 性，增强无线电功效，从而简化无线基础设施设计过 程。 ＡＤＩ公司的ＭＳ—ＤＰＤ平台集成一个高性能ＲＦ 和混合信号发射与接收机观测信号链，支持２Ｇ、３Ｇ 以及新兴的４Ｇ无线协议。Ｘｉｌｉｎｘ公司的Ｖｉｒｔｅｘ一６ ＦＰＧＡ ＭＬ６０５（现场可编程门阵列）评估套件通过一 个工业标准ＶＩ ｒＡ一５７ ＦＭＣ连接器连接到ＭＳ—ＤＰＤ 板。借助此系统，利用ＭＳ—ＤＰＤ上提供的ＡＤＩ公司 信号链，可通过ＦＰＧＡ实现所需的无线电算法。 赛灵思发布ＩＳＥ１２．２ 强化部分可重配置ＦＰＧＡ技术 赛灵思公司宣布推出其第四代部分可重配置设 计流程，以及智能时钟门控技术的多项全新强化方 案，可针对Ｖｉｒｔｅｘ一６ ＦＰＧＡ设计中ＢＲＡＭ （ｂｌｏｃｋ—ＲＡＭ）降低２４％的动态功耗。设计人员即日 起即可下载ＩＳＥ１２．２设计套件，利用其简便易用、直 观的部分可重配置设计流程，进一步降低功耗和整 体系统成本。同时，最新推出的ＩＳＥ版本还可提供一 项低成本仿真方案，支持嵌人式设计流程。 富士通微电子推出６款 ＭＢ９１ ５９０系列的系统控制器 富士通微电子（上海）有限公司近日宣布即将 推出６款ＭＢ９１５９０系列的系统控制器，可应用于汽 车仪表板（使用彩色显示的组合仪表）和中控台 ｈ什ｎ． 、＾ ｖｗ ； ｍ； ｎ ｍｍ 板，即将推出２款ＭＢ９１５７０系列的微控制器产品。 该产品将于２０１０年１２月底上市。 联发科与日本最大移动电信服务供货 商ＮＴＴ ＤＯＣＯＭＯ签订ＬＴＥ技术授权协议 联发科技宣布，该公司已与日本最大移动电信 服务供货商Ｎ１Ｔｒ ＤＯＣＯＭＯ签订ＬＴＥ技术授权协 议。透过此协议，联发科计划将结合该ＬＴＥ技术和 自有２Ｇ与３Ｇ技术，以提供能符合日本以及全球市 场需要的最佳无线通讯解决方案。 此项协议为双方策略性合作的第一阶段；联发 科期望双方能更进一步成为长期策略合作伙伴，并 持续在市场、技术和互通性测试等方面进行合作交 流。联发科并将成立技术团队，与ＤＯＣＯＭＯ一同于 日本进行ＬＴＥ互通性测试，以强化联发科ＬＴＥ方案 日后在日本市场的竞争力，并期望未来能加速该公 司ＬＴＥ行动解决方案的推广普及。 中芯国际６５纳米晶圆 出货超万片成功进入量产阶段 中芯国际集近日宣布，其自２００９年第三季开始 在中芯国际北京１２寸厂生产的６５纳米技术晶圆出 货累计已超过１０，０００片，目前已成功进入量产。 中芯目前拥有超过１０个ＦＯＴ和ＣＯＴ客户在 各个开发以及生产阶段。中芯国际的６５纳米逻辑技 术显著改善产品集成度，并具有高性能，低功耗以及 尺寸更小的高水平。目前涉及的产品应用包括Ｗｉ— ，蓝牙，高清电视，影音解码器，应用处理器以及 Ｌ一业界要闻 ＴＤ—ＳＣＤＭＡ芯片。６５纳米工艺由中芯国际设计服务 巾国集成电路 Ｃｈｉｎａ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ 电耐量均为８ｋＶ（遵照ＩＥＣ６１０００—４—２标准）。漏电 流为１．０ Ａ ＭＡＸ．（ＶＲＭ＝５Ｖ时）。采用ＵＳＰ－３ 部门秉持严格的设计标准为客户提供具有符合 ＤＦＭ标准的产品和服务。除了中芯国际自主设计的 ＩＰ，中芯完整的解决方案也包含了第三方ＩＰ。综合 ＩＰ解决方案为客户提供灵活的优势，以简化设计流 程，缩短设计时间，让客户产品能够更快打地人市 场。 松下开发出高输出功率ＧａＮ晶体管 松下半导体开发出了在２５ＧＨｚ毫米波频带中 最大输出功率可达ｌ０．７ｗ的ＧａＮ（氮化镓）晶体 管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的 硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制 成的ＧａＮ晶体管，达到了“业界最高输出功率”。另 外，该公司还确认到，在６０ＧＨｚ频带中可获得高达 ２．４Ｗ／ｍｍ的输出功率密度，称这一数值“超过了在 ＳｉＣ（碳化硅）底板上制成的ＧａＮ晶体管”。 采用此次开发的ＧａＮ晶体管，试制调制方式采 用ＯＦＤＭ （ｏｒｔｈｏｇＯＮａｌ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｉｖｉｓｉｏｎ ｍｕｌｔｉ— ｐｌｅｘｉｎｇ）的２５ＧＨｚ收发器时，能以１６Ｍｂｉｔ／秒的实际 数据传输速度获得２Ｗ的平均输出功率。该公司表 示，考虑到收发天线的增益及大气中的传播损耗因 素后进行试算的结果表明，可实现８４ｋｍ的长距离 通信。 特瑞仕开发出 二款瞬态电压抑制器ＴＶＳ 特瑞仕半导体开发了用于保护电子仪器免受静 电损害的瞬态电压抑制器。特瑞仕为了充实产品阵 容，推出能起到保护便携式仪器、电子仪器免受由静 电带来的过电压损害的瞬态电压抑制器，目前已开 始量产与销售。配合各种用途备有搭载了２个素子 的ＸＢＰ０６Ｖ４Ｅ２ＨＲ—Ｇ、搭载了４个素子的 ＸＢＰ０６Ｖ４Ｅ４ＧＲ—Ｇ两种型号的产品。两种型号的放 （ＸＢＰ０６Ｖ４Ｅ２ＨＲ—Ｇ）、ＵＳＰ一４（ＸＢＰ０６Ｖ４Ｅ４ＧＲ—Ｇ） 封装。由于采用了小型封装，最适用于不断向小型、 轻量化发展的便携式通信仪器元器件。 此外，符合ＥＵ ＲｏＨＳ规格、能对应无Ｐｂ要求， 是无害于环境的环保产品。特瑞仕今后将不断充实 ＴＶＳ的产品阵容，提供满足市场需求的产品。 意法半导推出新一代微处理器 锁定高性能网络和嵌入式应用 意法半导体发布业内首款整合双ＡＲＭ Ｃｏｒｔｅｘ—Ａ９内核和ＤＤＲ３（第三代双速率）内存接口 的嵌入式处理器。新产品ＳＰＥＡｒｌ３１０采用意法半导 体的低功耗５５ｎｍ ＨＣＭＯＳ（高速ＣＭＯＳ）制程，为多 种嵌入式应用提供高计算和定制功能，同时兼具系 统级芯片的成本竞争优势。 新微处理器整合超低功耗技术和ＡＲＭ Ｃｏｒｔｅｘ—Ａ９处理器内核的多任务处理功能，以及创新 的片上网络（ＮｏＣ）技术。双核ＡＲＭ Ｃｏｒｔｅｘ—Ａ９处理 器可全面支持对称和不对称运算，处理速度高达每 核６００ＭＨｚ（在恶劣的工业环境中），相当于３０００ ＤＭＩＰＳ。 Ｉ ｎｔｅｒｓ ｉ Ｉ推出新款充电器Ｉ Ｃ Ｉｎｔｅｒｓｉ！公司宣布，推出新款充电器ＩＣ… ＩＳＬ９２２０，以扩展其不断增长的紧凑型、高集成度电 池充电ＩＣ系列。新器件基于开关模式拓扑结构，可 以确保包括智能手机、平板电脑在内的便携电子产 品中单节及双节锂离子／锂聚合物电池的最高运行 效率和最低功耗。 ＩＳＬ９２２０采用同步脉宽调制（ＰＷＭ）技术并集 成了ＭＯＳＦＥＴｓ，具有充电时间短、可提供最大功效、 减少器件发热量等优异性能。该器件１．２ＭＨｚ的开 ｈｔｔｐ：Ｉ／ｖａＡａｗ．ｃｉｃｍａｇ．ｃｏｍ