专利名称：铜互连结构制作方法专利类型：发明专利发明人：邢中豪,赵波
申请号：CN202011145106.2申请日：20201023公开号：CN112259502A公开日：20210122
摘要：本申请涉及半导体铜互连制作工艺，具体涉及一种铜互连结构制作方法。所述铜互连结构制作方法包括：提供预先图案化有互连孔槽的互连层；在所述互连孔槽内壁上形成铜种子层；火温度为180C至250C的条件下，对所述铜种子层进行20秒至40秒预退火，使得铜种子层的铜晶格进行生长，补偿铜种子层铜晶格间间隙，形成连续的铜种子层；通过铜电镀工艺，在所述铜种子层上，形成填充所述互连孔槽的铜互连结构；对所述铜互连结构进行退火；通过研磨工艺使得所述铜互连结构的表面平坦化。本申请能够解决相关技术中因PVD方法生长形成的铜种子层的结构具有不稳定性，而导致铜互连结构不可靠的问题。
申请人：华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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