答案2

一、 1将

IGBT、GTR、MOSFET按多子和少子器件分类，并简述各自的特点。

多子器件：MOSFET 少子器件：GTR，MOSFET

多子器即单极性器件，只有一种载流子参与导电的器件，如MOSFET。少子器件即双极性器件，两种载流子参与导电的器件，如IGBT、GTR。特点（略）。

2变换器的主电路主要器件可能有哪些器件？

变换器主电路主要包括：电感、电容、变压器、开关器件、电源等。 3为什么大电感的数学模型可以用电流源取代？ 因为对于大电感有：

uLLdiLdiuLL0 dtdtL因此可以认为电流变化率为零，即电流为常数，故大电感的数学模型可以用电流源代替。 4达林顿连接如何防止

GTR进入过饱和状态？

从第一级管子的ce间电压和第二级管子的cb间电压关系，以及晶体管的饱和状态时cbe之间的电压关系讨论。

5二极管的反向恢复特性是指什么？

二极管的反向恢复特性是指当二极管正向导通时，若突加反向电压，二极管不会立即关断，而是要通过一段时间才能恢复阻断作用。

6维持晶闸管导通的条件是什么？如何使晶闸管由导通变为关断？

晶闸管开通过程中，电流上升达到某一临界值时，去掉晶闸管的出发信号，晶闸管仍然保持导通，这个电流称为挚住电流 。晶闸管关断过程中，电流小于某一临界值时，晶闸管自动关断，称这一电流为维持电流。

7为什么可控整流电路的输出端不能直接并接电容？

可控整流是控制导通角来控制输出电压。从晶闸管的导通条件可以看出，当电容滤波时，由于晶闸管阳极电压必须大于电容电压晶闸管才能导通，否则触发晶闸管而无法导通，这样可能导致输出电压失控。

8为什么相控整流电路的输入电流的基波分量滞后于输入电压？ 因为相控整流电路中晶闸管延迟角导通，因此输入电流的基波总是滞后于电压。 9三相桥式全控整流电路，六个晶闸管的导通顺序是什么？ 1-2，2-3，3-4，4-5，5-6，6-1，依次循环导通。 10 IGBT

的过流保护与栅极电压关系？

通过降低驱动电压来减小短路电流和延长短路时间。 11反激式变换器的负载为什么不能开路？

答：从反激式变换器电流断续时的输出电压表达式可以看出，输出电压与负载的平方根成正比。因此不能开路。 12功率因数定义 功率因数定义’：

PFIPIRMS1VRMScosRMS1cosDFDPF SIRMSVRMSIRMSDF为畸变功率因数，DFP为移相功率因数 13晶闸管的导通条件是什么？

晶闸管阳极承受正向阳极电压，且门极有驱动脉冲（也有正压） 14半导体器件的损耗由那几部分构成？

开关损耗，稳态损耗。其中开关损耗包括导通损耗和管段损耗。 15 解释基区电导调制效应。

当PN结通过正向大电流时，注入基区的空穴浓度大超过基区原始的空穴浓度，为

了维持半导体的电中性，基区会产生大量电子，因而基区电导率大大升高，此现象就是基区电导调制效应。

二、

1（b），由于为低压，所以选用全波整流，由于大电流，所以从效率考虑也要选用全波整流。

2答：b可以工作。由于是感性负载，必须有续流通道。

3 a b 均可正常工作。 为双端正激电路，功率管关断时由两个二极管提供需流通道，负载上电压反向；b 功率管关断时，电感中储能通过并接在电感上的二极管释放。

4 出现尖峰的原因是管子关断时刻，由于电感的反电势所造成，当二极管续流导通时，把尖峰电压钳位。

三

1

晶闸管换相重叠角产生的原因什是么？画出三相半波可控整流电路（考虑变压器

漏感）在300时的输出波形。

答：从漏感存在时电流不能突变出发，分析。由于变压器存在漏感，相当于每一相都串联一电感，当A相关断、b相导通时，由于电感存在，电感上电流不能突变，即a相电流不可能瞬间转移到b相中去，故存在量相同时导通的区间，此时输出电压是两相平均值。

Uo 21t 3243 2 BUCK（降压型）DC-DC变换器原理图 DTTLLBTDCRLBTDCRL T导通等效电路 关断等效电路 T1D1T2D2T1D1T2D2RBTCLBTRLT3T4T3T4