专利名称：结晶性层叠结构体,半导体装置专利类型：发明专利发明人：人罗俊实,织田真也申请号：CN201510144633.4申请日：20150330公开号：CN104952926A公开日：20150930
摘要：本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
申请人：FLOSFIA株式会社
地址：日本京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂创业大厦北馆
国籍：JP
代理机构：深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司
代理人：温青玲
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