专利名称：一种钙钛矿光伏电池及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：秦平力,王正春,吴彤,肖岚,马良,余雪里,熊伦,陈相柏申请号：CN202010598238.4申请日：20200628公开号：CN111710781A公开日：20200925
摘要：本发明涉及一种高性能钙钛矿电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池以以溶液法制备得到的FeMgO薄膜作为界面钝化层钝化钙钛矿光伏电池钙钛矿光敏层相邻界面，其中0≤x≤0.2，厚度30～40nm。本发明的钙钛矿光伏电池以FeMgO为界面钝化层，大幅降低钙钛矿电池制备成本，利用铁和碘、氧和铅的相互作用提高钙钛矿薄膜结晶质量，同时，FeMgO薄膜可以使得载流子快速迁移，降低界面处的电荷积累；适量的镁元素也可以与周围的离子形成强的化学键，稳定钙钛矿相邻界面的结构，减少界面缺陷、降低非辐射复合，达到提高器件性能的目的。
申请人：武汉工程大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：官群
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容