第３１卷第１期 发 光 学 报 ＣＨＩＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｖ０１．３１ Ｎｏ．１ Ｆｅｂ．。２０１０ ２０１０年２月 文章编号：１０００－７０３２（２０１０）０１－００５４－０５ Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７：Ｅｕ２＋绿色发光粉的低温合成及光致发光 章少华 ，胡江峰 ，周明斌 ，王建军 ，谢 冰 （１．南昌大学材料科学与工程学院，江西南昌３３００３１；２．南昌大学分析测试中心，江西南昌３３００２９） 摘要：采用ＣａＣ１：作助熔剂同时又作反应物，利用固相法在碳还原气氛下合成了ｃａ２ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 发光粉， 确定其最佳的合成条件为按ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）：、ＳｉＯ 、ＣａＣ１２的量的比１．５：１：２：２．４称取原料，烧结温度为９００ ℃，烧结时间为３ ｈ。合成的样品可被３６０～４８０ ａｍ的光有效激发，得到发射峰值位于５２９ ａｍ的绿光。该发 光粉Ｅｕ 的最佳掺杂摩尔分数为０．０２。与高温法相比，低温法制备的Ｃａ２ＭｇＳｉ：Ｏ ：Ｅｕ 发光粉激发光谱形 状表现出一些差别，并且发射光强度显著增强，低温制备的Ｃａ￣ＭｇＳｉ Ｏ ：０．０２Ｅｕ 的发射强度是高温制备样 品的２６１％。 关键词：发光粉；Ｃａ２ＭｇＳｉ：０，：Ｅｕ“；助熔剂；低温合成；光致发光 ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｈｘ ＰＡＣＣ：７８５５ 文献标识码：Ａ 中图分类号：０４８２．３１ １ 引 言 （Ａ．Ｒ．）、ＳｉＯ２（Ａ．Ｒ．）、ＣａＣ１２（Ａ．Ｒ．）、Ｅｕ２Ｏ３ （９９．９９％）。按一定比例称取ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、 硅酸盐基质具有较高的化学稳定性和热稳定 ＳｉＯ：、Ｅｕ ０，，放入玛瑙研钵中充分研磨，再加人一 定量的ＣａＣ１ ，研磨均匀后，置于坩埚中，利用高 温固相反应，在碳还原气氛中于不同温度下烧结 性，而且高纯二氧化硅原料价廉易得，因此稀土离 子激活的硅酸盐发光材料引起了人们的重视。稀 土硅酸盐发光粉常用的合成方法有溶胶一凝胶 ２—４ ｈ，热取出冷却至室温，得到Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ： Ｅｕ 样品。采用德国Ｂｒｕｋｅｒ Ｄ－８型ｘ射线衍射 仪（辐射源为Ｃｕ靶Ｋｄ，Ａ＝０．１５４ ０６ ｌｌｍ，４０ ｋＶ， ４０ ｍＡ，扫描范围１０。一８０。）测定样品的粉末ＸＲＤ 图。采用日本日立公司ＦＳ Ｆ－４５００荧光分光光度 法¨’ 和高温固相法 ’ 等。而高温固相法工艺 简单，合成的发光粉发光强度和发光效率较高。 稀土离子激活的ｃａ ＭｇＳｉ ０，基质发光粉可广泛 用于白光ＬＥＤ照明、长余辉材料及飞点扫描发光 粉＿５ 等领域。但目前所见的用高温固相法制 备的Ｃａ：ＭｇＳｉ：Ｏ 基质的发光粉合成的温度普遍 在１ ２００～１ ４００ ｏＣ＿１ １３］，在世界能源紧缺的背景 下，降低发光粉的合成温度，提高发光粉的发光强 度为人们所关注。 本文采用固相法，用ＣａＣ１ 作助溶剂的同时 又作反应物，在较低温度下合成了Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ： Ｅｕｎ发光粉。探讨了Ｅｕ 激活的Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ 发 计测试样品的激发光谱和发射光谱（激发源为 １５０ Ｗ氙灯，波长准确度±２．０ ｎｍ）。 ３结果与讨论 ３．１原料的配比 当按ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＳｉＯ２、ＣａＣ１２的量的比 为 ：１：２：２．４称取原料时，只改变ＣａＣＯ，的含 量，在烧结温度为８５０ ｏＣ，烧结时间为３ ｈ时，合 光粉在近紫外光激发下的荧光性质，进一步验证 了Ｃａ：ＭｇＳｉ：Ｏ 的晶体结构。并与高温合成方法 制备的样品的发光性能进行了比较。 成样品的ＸＲＤ谱图如图１所示。从图中可看出， 当 ＝１时，合成的样品除了Ｃａ：ＭｇＳｉ ０ 外，还有 少量ＣａＭｇＳｉ ０６生成。随着ＣａＣＯ３含量的增加， 生成物中的ＣａＭｇＳｉ Ｏ６逐渐减少；当 ＝１．５时， ＣａＭｇＳｉ：Ｏ 基本消失。因ＣａＣ１ 在烧结中即作助 ２ 实 验 实验所用材料为ＣａＣＯ （Ａ．Ｒ．）、Ｍｇ（ＯＨ）２ 收稿日期：２００９－０５－２６；修订日期：２００９－０７－０８ 基金项目：江西省教育厅科研项目（７－０２２９３）资助 作者简介：章少华（１９６７一），男，江西余干人，主要从事稀土发光材料的研究。 Ｅ—ｍａｉｌ：ｓｈａｏｈｕａ．ｚｈａｎｇ＠ｓｍｕｔ．ｃｏｒｎ，Ｔｅｌ：（０７９１）３９６９５５３ 第１期 章少华，等：Ｃ￣ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 绿色发光粉的低温合成及光致发光 ５５ ２０／（ ） 图１不同ＣａＣＯ 用量制备样品的ＸＲＤ谱图 Ｆｉｇ．１ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ ｓｉｎｔｅｒｅｄ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ＣａＣＯ３ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ（０：ＣａＭｇＳｉ２ Ｏ６） 熔剂，又充当反应物，因此它没有完全反应。 ３．２烧结温度 ＣａＣＯ，的量Ｘ＝１．５时，只改变烧结温度，烧 结时间均为３ ｈ，合成样品的ＸＲＤ谱图如图２ 所示。 ２０／（。） 图２在不同温度下制备的样品的ＸＲＤ谱图 Ｆｉｇ．２ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ ｓｉｎｔｅｒｅｄ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｅｍｐｅ ｒａｔｕｒｅ（。：ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７；ｏ：ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６； ：ＣａＳｉＯ３） 实验结果表明：当烧结温度为８００℃时，合成 的样品中含有大量的ＣａＭｇＳｉ：Ｏ 、ＣａＳｉＯ，等杂相； 当烧结温度为８５０ ｏＣ时，合成样品中除了 Ｃａ：ＭｇＳｉ２Ｏ７外，还有少量的ＣａＭｇＳｉ Ｏ 杂相；当 温度在９００℃时，合成样品的ＸＲＤ谱图与 Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７的ＪＣＰＤＳ标准卡（编号：８８－０７７８）一 致，为Ｃａ ＭｇＳｉ：Ｏ 纯相；当烧结温度继续升高时， 又出现了杂相ＣａＳｉＯ，。因此，选择最佳烧结温度 为９００ ｏＣ。在该条件下，合成了镁长石结构的 Ｃａ ＭｇＳｉ２Ｏ７，属四方晶系，ｃａ¨与Ｏ 形成８配位 数的Ｃａ“＿Ｊ 。 ３．３烧结时间 按上述原料配比和烧结温度，只改变烧结时 间，合成样品Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 的ＸＲＤ谱图如图 ３所示。从图中可看出，当烧结时间为２ ｈ时，样 品中同时含有ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６、ＣａＳｉＯ３与Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７ 相；当烧结时间延长至３ ｈ时，合成样品的谱图与 标准Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ，的ＸＲＤ谱图一致。因此确定最 佳烧结时间为３ ｈ。 图３ 不同烧结时间制备的样品ＸＲＤ谱图 Ｆｉｇ．３ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ ｓｉｎｔｅｒｅｄ ｆｏｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｉｍｅ ３．４光谱特性 按合成条件，所得样品的激发光谱与发射光谱 如图４。从图４可知，Ｃａ ＭｇＳｉ：Ｏ ：Ｅｕ“发光粉可被 ３６０～４８０ ｎｍ的光有效激发，表明非常适合制成从 近紫外光到蓝光激发的ＬＥＤ用发光粉。在４Ｏ０ ｎｍ 近紫外光激发下，发射光谱为最大发射峰值位于 ５２９ ｌｌｍ，半峰全宽为７８ ｎｍ，发光颜色为绿色，属 于Ｅｕ。 的４ｆ６５ｄ 一４ｆ 跃迁的宽带发射。但发射 峰两边稍不对称，这可能是由于激发光谱与发射 光有部分重叠，发射光产生了再吸收现象。从 Ｃａ：ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ¨的发射光谱中只观察到５２９ ｎｍ 的发射峰，说明在四方晶系的Ｃａ：ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 中只有８配位的ｃａ ，而Ｅｕ¨只取代这个８配位 的Ｃａ 的位置，这与Ａｉｔａｓａｌｏａ等 报道的结果 一致。 Ａ／ｎｍ 图４ Ｃａ２ＭｇＳｉ：Ｏ ：Ｅｕ 的激发光谱（ａ）与发射光谱（ｂ） Ｆｉｇ．４ Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ（ａ）ａｎｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ（ｂ） ０ｆ Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ 发 光 学 报 第３１卷 ３．５不同制备方法的发光性能比较 为了便于讨论，把上述合成ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ，： Ｅｕ“发光粉的方法称为低温法。按化学计量比 称取ＣａＣＯ３（Ａ．Ｒ．）、Ｍｇ（ＯＨ）２（Ａ．Ｒ．）、ＳｉＯ （Ａ．Ｒ．）、Ｅｕ Ｏ，（９９．９９％），按质量分数为３％称 取Ｈ。ＢＯ，（Ａ．Ｒ．）作为助熔剂，放入玛瑙研钵中 充分研磨后，置于刚玉坩埚中，利用高温固相法， 在碳还原气氛中于１ ２００℃下烧结４ ｈ，热取出冷 却至室温，得到ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 样品，这种合成 方法称为高温法。 图５是用两种不同方法合成的样品的激发光 谱。曲线ａ，ｂ分别为低温法和高温法合成的 Ｃａ ＭｇＳｉ２Ｏ，：０．０２Ｅｕ“样品的激发光谱，它们的形 状相似，但前者的强度明显强于后者。曲线ａ的 三个明显的激发峰分别位于３０６，３８７，４３０ ｎｍ处， 它们的相对强度比为０．９２：０．９６：１．００。而曲线ｂ 的三个明显激发峰分别位于３０８，３８８，４３２ ｎｍ处， 与低温法的激发峰位置基本相同，但形状出现差 异，三个激发峰的相对强度比为０．５９：０．９３： １．００ 图５ Ｃ％ＭｇＳｉ２Ｏ ：０．０２Ｅｕ 的激发光谱，（ａ）低温法； （ｂ）高温法。 Ｆｉｇ．５ Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｏｆ Ｃ％ＭｇＳｉ２Ｏ７：０．０２Ｅｕ“．（ａ） Ｌｏｗ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ；（ｂ）Ｈｉｓｈ ｓｉｎｔｅ－ ｒｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ． 图６是两种不同方法合成的样品在４００ ｎｍ 的光激发下的发射光谱。曲线ｌ一５与曲线６— １０分别是用低温法与高温法制备的Ｃａ：ＭｇＳｉ：Ｏ ： ｘＥｕ“（ ＝０．０１，０．０２，０．０３，０．０４，０．０７）样品 的发射光谱。从图中可看出，两种方法制备的样 品，Ｅｕ¨的掺杂摩尔分数为０．０２时发光强度达到 最大值。曲线６～１０的主峰在５３２ ｎｍ处，强度普 遍低于曲线１—５的强度。其中低温法制备的 Ｃａ ＭｇＳｉ２Ｏ ：０．０２Ｅｕ 发光粉发射光强度是高温 ４５０ ４７５ ５００ ５２５ ５５０ ５７５ ６００ ６２５ Ａ／ｎｍ 图６ Ｃ％ＭｇＳｉ２Ｏ７：ｘＥｕ 的发射光谱（低温法：１． ＝ ０．０１，２． ＝０．０２，３． ＝０．０３，４． ＝ｎ ０４，５． ： ０．０７；高温法：６． ＝０．０１，７． ＝０．０２，８． ＝ ０．０３。９． ：０．０４．１０． ＝０．０７） Ｆｉｇ．６ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｏｆ Ｃ％ＭｇＳｉ２ Ｏ７：ｘＥｕ （Ｌｏｗ ｔｅｍ－ ｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ：１． ＝０．０１，２． ＝０．０２．３． ＝ ０．０３，４． ：０．０４，５． ＝０．０７；Ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ：６． ＝０．０１，７． ＝０．０２，８． ＝０．０３， ９． ＝０．０４。１０． ＝０．０７） 法的２６１％。低温法制备的样品发光强度明显强 于高温法，其原因可能有以下三个方面：从图７的 不同制备方法所得样品的ＸＲＤ图谱比较可知，高 温法制备的样品还有少量ＳｉＯ 未能反应完全，低 温法制备的样品物相比较纯，因此发光强度相对 较强；用低温法制备Ｃａ：ＭｇＳｉ２Ｏ，：Ｅｕ 发光粉， ＣａＣ１：的加入作为反应物的同时，在发光体形成 过程中起帮助熔化和熔媒作用，因此可以降低基 质形成晶体的烧结温度和促使激活剂进入晶格形 成发光中心，进而提高发光强度；当有ＣａＣ１：存在 时，氯离子具有一定的还原性，更有利于Ｅｕ¨被 完全还原成Ｅｕ“。 上ＬＬ ．ｕ 山 Ｌ一．』 一 ．．．： ． ．．。 一．． Ｓｌｉ０一２… １Ｏ ２Ｏ ３Ｏ ４Ｕ ５Ｕ ６【） ７Ｏ ８Ｏ ／（。） 图７不同制备方法制备的样品ＸＲＤ谱图，（ａ）高温法； （ｂ）低温法。 Ｆｉｇ．７ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅｓ ｓｉｎｔｅｒｅｄ ｗｉｔｈ ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｍｅｈｔｏｄ．（ａ）Ｈｉｓｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ；（ｂ）Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄ． 第１期 章少华，等：Ｃａ２ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 绿色发光粉的低温合成及光致发光 ５７ ４ 结 论 迁所至。该发光粉可被３６０～４８０ ｎｍ的光有效激 发，是一种性能良好的适于从近紫外光到蓝光激 发的ＬＥＤ用发光粉材料。与高温法相比，低温法 制备的Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ¨发光粉激发光谱形状出 现差异，并且发射光强度显著增强，其中低温合成 采用固相法，利用ＣａＣ１ 在烧结过程中即作 助熔剂又充当反应物，在较低温度下合成了 Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ ：Ｅｕ 发光粉。并确定其最佳反应条 件为按ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＳｉＯ２、ＣａＣ１２的量的比 １．５：１：２：２．４时，烧结温度为９００℃，烧结时间为 的Ｃａ ＭｇＳｉ Ｏ７：０．０２Ｅｕ¨发射强度是高温粉的 ２６１％，其原因是低温法合成的物相更纯、ＣａＣｌ： 的加入有助熔剂作用及氯离子具有一定的还原性 更有利于Ｅｕ“被完全还原成Ｅｕ“。 ３ ｈ。合成的样品发射主峰位于５２９ ｎｍ的绿光， 为Ｅｕ¨取代８配位的ｃａ 而产生４ ５ｄ 一４ｆ 跃 参考文献： ［１］Ｌｅｉ Ｆａｎｇ，Ｘｕ Ｃｈｏｎｇｆｕ，Ｙａｎｇ Ｍｉｎｌｉ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｂｌｕｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ＳｒＡｌ２ Ｓｉ２ Ｏ８：Ｅｕ“ｗｉｔｈ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ． ＿，．Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００５，２７（４）：４７９－４８３（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［２］Ｇａｏ Ｌｉｚｈｅｎ，Ｌｉ Ｔｉａｎｆｅｎｇ，Ｙａｎ Ｙｕｌｉ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ０ｆ Ｚｎ２ ＳｉＯ４：Ｍｎ ｎａｎｏｐａｒ－ ｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］． Ｘｕｃｈａｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（许昌学院学报），２００６，２５（５）：４１－４３（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［３］Ｑｉａｏ Ｂｉｎ，Ｚｈａｎｇ Ｚｈｏｎｇｔａｉ，Ｔａｎｇ Ｚｉｌｏｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｒ３ ＭｇＳｉ２ Ｏｓ－ｂａｓｅｄ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｃｏａｃｔｉｖａｔｅｄ ｗｉｔｈ Ｅｕ“ａｎｄ Ｍｎ“［Ｊ］． Ｃｈｉｎ．Ｒａｒｅ Ｓｏｃ．（中国稀土学报），２００３，２１（２）：１９１—１９５（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［４］Ｌｉ Ｘｕｅｚｈｅｎｇ，Ｗａｎｇ Ｄａｊｉａｎ，Ｇｕ Ｔｉｅｃｈｅｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｓｏｌ ｓｐｒａｙ—ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｃａｎｃｉｎｉｎｇ ａｎｄ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８ ｈｏｓｔｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｆｏｒ ｗｈｉｔｅ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ． Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（６）：９８９—９９５ （ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［５］Ｚｈａｎｇ Ｍｅｉ，Ｗａｎｇ Ｊｉｎｇ，Ｄｉｎｇ Ｗｅｉｊｉａ，ｅｔ ａ１．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｍ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７：Ｅｕ （Ｍ：Ｃａ，Ｓｒ）ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｎ ｙｅｌｌｏｗ ａｎｄ ｂｌｕｅ ＬＥＤｓ ｆｏｒ ｓｏｌｉｄ—ｓｔａｔｅ ｌｉｇｈｔｉｎｇ［Ｊ］．印ｆ．Ｍａｔｅｒ．，２００７，３０（４）：５７１—５７８． ［６］Ｆｅｉ Ｑｉｎ，Ｃｈａｎｇ Ｃｈｅｎｇｋａｎｇ，Ｍａｏ Ｄａｌｉ．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ６ ａｎｄ Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７ ｌｏｎｇ ｌａｓｔｉｎｇ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ａｃｔｉ— ｖａｔｅｄ ｂｙ Ｅｕ“ａｎｄ Ｄｙ“［Ｊ］． Ａｌｌｏｙ．Ｃｏｍｐｄ．，２００５，３９０（２）：１３３—１３７． Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９６７，４７（１２）：５１３９—５１４５． ［７］Ｂｌａｓｓｅ Ｇ，Ｂｒｉｌ Ａ Ｊ．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｅ“ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ［Ｊ］． ［８］Ｃｈｅｎ Ｙｏｎｇｈｕ，Ｃｈｅｎｇ Ｘｕｅｒｕｉ，Ｑｉ Ｚｅｍｉｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｗｈｉｔｅ ｌｏｎｇ ａｆｔｅｒｇｌｏｗ ｐｈｏｓｐｈｏｓｒ Ｃａ ＭｇＳｉ２Ｏ５＋ ：Ｄｙ“［Ｊ］．Ｃｈｉｎ． Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（１）：１１９—１２３（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［９］Ｓｕｎ Ｘｉａｏｙｕａｎ，Ｚｈａｎｇ Ｊｉａｈｕａ，Ｚｈａｎｇ Ｘｉａ，ｅｔ ａ１．Ｌｏｎｇ ｌａｓｔｉｎｇ ｙｅｌｌｏｗ ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ｉｎ Ｓｔ３ＳｉＯ５：Ｅｕ“ａｎｄ Ｓｒ３ＳｉＯ５： Ｅｕ“，Ｄｙ“ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ．．，．Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（４）：６６５－６６９（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［１０］Ｇｕ Ｙｕｎｘｉｎ，Ｗａｎｇ Ｈｏｎｇｚｈｉ，Ｌｉ Ｙａｏｇａｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｅｕ“ｄｏｐｅｄ ＣａＳｉＯ２Ｎ２ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ． Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（４）：６８９－６９４（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［１ １］Ｌｉ Ｘｕｅｚｈｅｎｇ，Ｗａｎｇ Ｄａｊｉａｎ，Ｇｕ Ｔｉｅｃｈｅｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｓｏｌ ｓｐｒａｙ—ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｃａｎｃｉｎｉｎｇ ａｎｄ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８ ｈｏｓｔｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｆｏｒ ｗｈｉｔｅ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｃｈｉｎ． Ｌｕｍｉｎ．（发光学报），２００８，２９（６）：９８９－９９５ （ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）． ［１ ２］Ｃｈａｎｇ Ｃｈｕｎｋｕｅｉ，Ｃｈｅｎ Ｔｅｎｇｍｉｎｇ．Ｗｈｉｔｅ—ｌｉｇｈｔ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｕｎｄｅｒ ｖｉｏｌｅｔ．ｂｌｕｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ｔｕｎａｂｌｅ ｇｒｅｅｎ．ｔ０．ｒｅｄ ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ，Ｍｎ ｔｈｒｏｕｇｈ ｅｎｅｒｇｙ ｔｒｎｓａｆｅｒ［Ｊ］．Ａｐｐ１．ｅｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９０（１６）：１６１９０１．．１ ３．． ［１ ３］Ｊｉｎｇａ Ｌｉｎｇ，Ｃｈａｎｇ Ｃｈｅｎｇｋａｎｇ，Ｍａｏ Ｄａｌｉ，ｅｔ ａ１．Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｂｙ Ｅｕ“，Ｄｙ ａｎｄ Ｎｄ ［Ｊ］．Ｏｐｔ．Ｍａｔｅｒ．，２００４，２７（１）：５１－５５． ［１ ４］Ｙａｎｇ Ｈ，Ｈａｚｅｎ Ｒ Ｍ，Ｄｏｗｎｓ Ｒ Ｔ，ｅｔ ａ１． Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｃｈａｎｇｅ ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｏｍｍｅｎｓｕｒａｔｅ ｎｏｌＴｎａｌ ｐｈａｓｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｊｎ ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ，Ｃ ＭｇＳｉ２Ｏ７，ａｔ ｈｉｈ ｇｐｒｅｓｓｕｒｅ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ。Ｃｈｅｍ．Ｍｉｎｅｒ．，１９９７，２４（７）：５１０－５１９． ［１ ５］Ａｉｔｓａｌａｏ Ｔ，ＨＮｓａ Ｊ，Ｋｉｒｍ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｎｄ ｓａｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｈｅｔ Ｃａｚ ＭｇＳｉ２ Ｏ７：Ｅｕ“， Ｒ ｍａｔｅｒｉｌａｓ［Ｊ］．Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ，２００７，４２（４）：６４４－６４７． ５８ 发 光 学 报 第３１卷 Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｏｆ Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ ０７：Ｅｕ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｐｏｗｄｅｒ ＺＨＡＮＧ Ｓｈａｏ—ｈｕａ ，ＨＵ Ｊｉａｎｇ—ｆｅｎｇ ，ＺＨＯＵ Ｍｉｎｇ—ｂｉｎ ，ＷＡＮＧ Ｊｉａｎ－ｊｕｎ ，ＸＩＥ Ｂｉｎｇ （１．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆＭ口御记ｂ Ｓ（妇，ｌｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｔｎｅｅｒｉｎｇ，Ｎａｎｃｈａｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｃｈａｎｇ ３３００３１，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆＡｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ Ｔｅｓｔｉｎｇ，Ｎａｎｃｈａｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｃｈａｎｇ ３３００２９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｌｋａｌｉｎｅ ｅａｒｔｈ ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｗｅｒｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｕｎｄｅｒ ａ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｂｙ ｓｏｌｉｄ—ｓｔａｔｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｕｓｉｎｇ ＣａＣＩ２ ａｓ ｆｌｕｘ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ ｓｔａｒｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｓａｍｐｌｅｓ ｓｉｎｔｅｒｅｄ ｕｎｄｅｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ＣａＣＯ３ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ ａｎｄ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｉｍｅ ｗｅｒｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅｓｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｎ ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ ｂｙ Ｘ—ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）．Ｔｈｅ ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｗｅｒｅ ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ ａｔ ｔｈｅ ｍｏｌａｒ ｒａｔｉｏ ｏｆ ｓｔａｒｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＣａＣＯ３：Ｍｇ（ＯＨ）２：ＳｉＯ２：ＣａＣ１２ ｅｑｕａｌ ｔｏ １．５：１：２：２．４，ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ９００℃ａｎｄ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｔｉｍｅ ３ ｈ．Ｔｈｅ ｐｈ０ｔ０ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｈｅ ａｓ—ｔｐｒｅｐａｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｐｏｗｄｅｒｓ ｗｅｒｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ． ｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｉｎｄｉｃａｔｅｄ ｔＴｈａｔ ｔｈｅ Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ Ｏ７：Ｅｕ”ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｃａｎ ｂｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ ｅｘｃｉｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ ｉｎ ｔｈｅ ｗａｖｅ— ｌｅｎｇｔｈ ｒａｎｇｅ ｏｆ ３６０—４８０ ｎｍ ａｎｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ ｓｈｏｗｓ ａ ｂｒｏａｄ ｇｒｅｅｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｂａｎｄ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ａｔ ５２９ ｎｍ ｗｉｔｈ ａ ｂｒｉｇｈｔ ｇｒｅｅｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ．Ａｎｄ ｉｔ ｉｓ ｐｏｓｓｉｂｌｅ ｔｏ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ ｔｈｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｉｓ ｂｒｏａｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｂａｎｄ ｉｎ ｔｈｅ ａｃｅｓ ｔｈｅ Ｃａ¨ｉｏｎ ｓｉｔｅ ｗｉｔｈ ａ ｓｐｅｃｔｕｍ ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ ｗｉｔｒｈ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ４ｆ５ｄ ｌｅｖｅｌ ｏｆＥｕ ｉｏｎ ｗｈｉｃｈ ｏｎｌｙ ｒｅｐｌｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｅｉｇｈｔ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｔｈｅ ｂｒｏａｄ ｇｒｅｅｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｂａｎｄ ｉｓ ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｓ ａ ｒｅｓｕｌｔ ｏｆ ｔｈｅ ｒｅ—ａｂ— ｓｏｒｐｔｉｏｎ ｏｆ ｈｅ ｂｌｔｕｅ ｌｉｇｈｔ ｂｙ ｔｈｅ ｇｒｅｅｎ—ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｈｔｇ．Ｔｈｅ Ｃ％ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｗｅｒｅ ａｌｓｏ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ａｔ １ ２００℃ｆｏｒ ４ ｈ ｉｎ ａ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｕｓｉｎｇ Ｈ３ＢＯ３ ａｓ ｆｌｕｘ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ ＣａＣＯ３，Ｍｇ（ＯＨ）２，ＳｉＯ２ ａｓ ｓｔａｒｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｃｏｍｐａｒｉｎｇ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔｈｏｄｓ，ｗｅ ｆｏｕｎｄ ｔｈａｔ ｔｈｅｉｒ ｅｘｉｔａｔｏｎ ｓｐｅｃｔｕｍ ｐｒｒｏｆｉｌｅｓ ａｒｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ，ａｎｄ ｔｈｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：ｘＥｕ“（ ＝０．０１，０．０２，０．０３， ０．０４，０．０７）ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｐｒｅｐａｒｅｄ ａｔ ９００ ｏＣ ｉｓ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｐｏｗｄｅｒｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ａｔ １ ２００ ｏＣ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｐｏｗｄｅｒ；Ｃａ：ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｅｕｚ ； ｌｕｘ ｍｅｄｉｕｍ；ｌｏｗ ｓｙｎｔｆｈｅｔｉｃ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ＰＬ ＣＬＣ ｎｕｍｂｅｒ：０４８２．３１ ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｈｘ ＰＡＣＣ：７８５５ Ｄｏｃｕｍｅｎｔ ｃｏｄｅ：Ａ Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ｄａｔｅ：２００９－０５－２６ 重要启示 本刊为方便广大作者的论文进行国际交流，并进一步加快我刊国际化进程，现向广大 作者征集相关英语全文写作论文。对专家和编委审查合格的论文，我们将采取优先发 表等优惠措施，欢迎广大作者踊跃投寄英语全文写作的学术论文。论文征集范围仍参见 《发光学报》征稿简则。 《发光学报》编辑部