专利名称：一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：许家胜,张杰,王琳,孙誉东,唐克,王莉丽,邢锦娟,张艳
萍,刘琳,钱建华
申请号：CN201610489159.3申请日：20160629公开号：CN105948106A公开日：20160921
摘要：本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的制备方法，向草酸水溶液中滴加氯化亚锡的甲醇溶液，在恒温并且搅拌的条件下反应直到前驱物沉淀生成，过滤、水洗、干燥，然后在马弗炉进行热处理即获得窄带隙二氧化锡半导体纳米材料。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以工业化批量生产。本发明制备的目的产物窄带隙二氧化锡半导体纳米材料的禁带宽度为2.4～2.6 eV，具有良好的导电、隔热、透明，以及光催化等性能。
申请人：渤海大学
地址：121013 辽宁省锦州市松山新区科技路19号
国籍：CN
代理机构：沈阳亚泰专利商标代理有限公司
代理人：郭元艺
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