专利名称：一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法专利类型：发明专利发明人：沈杰,王三坡,章壮健申请号：CN200710046910.3申请日：20071011公开号：CN101158028A公开日：20080409
摘要：本发明属透明导电薄膜技术领域，具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为：以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以普通玻璃为基板，基板温度为100－300℃，通过反应直流磁控溅射法，使Ar离子束轰击靶材，将靶材溅射，溅射电流150－300mA，溅射电压100－400V，反应室内的工作压强为0.45－2.5Pa，O反应气体的分压百分含量P(O)＝Po/(Po+P)为4.0～10.0％，溅射时间40－100分钟。形成具有多晶结构的掺钼氧化锌透明导电薄膜。薄膜厚度为100－250nm。本发明制备的薄膜具有低电阻率和可见光范围高的光学透明性及高载流子迁移率的特性。本发明方法具有工业生产前景，工艺稳定性好，是一种制备ZMO透明导电氧化物薄膜保证薄膜所制器件优良性能的新方法。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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