专利名称：一种半导体场效应晶体管及其制作方法专利类型：发明专利发明人：李理,马万里,赵圣哲申请号：CN201610322620.6申请日：20160516公开号：CN107393824A公开日：20171124
摘要：本发明提供了一种半导体场效应晶体管及其制作方法，该半导体场效应晶体管的制作方法，包括：在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上覆盖第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层填满所述沟槽；对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留预设深度的第一氧化硅层和第一多晶硅层；在沟槽以及沟槽的外表面形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层包裹的沟槽中填充第二多晶硅层；在硅片上填充介质及金属，形成半导体场效应晶体管。通过上述方式制作的半导体场效应晶体管，降低了半导体场效应晶体管的开关损耗，提高了工作效率。
申请人：北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室
国籍：CN
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
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