一种半导体材料的表面钝化方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201911017817.9 （22）申请日 2019.10.24

（71）申请人 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司

地址 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号

（10）申请公布号 CN110739205A

（43）申请公布日 2020.01.31

（72）发明人 闫一方

（74）专利代理机构 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 王志敏

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种半导体材料的表面钝化方法

（57）摘要

本发明提供一种半导体材料的表面钝化方

法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的表面钝化方法，包括以下步骤：S1.准备好HCl溶液，将半导体材料置于HCl溶液中浸泡15‑30min，然后取出半导体材料使用蒸馏水对其表面进行清洗，清洗干净之后，将半导体材料送入到真空环境中进行干燥处理；S2.将半导体材料置于高温炉中，调节高温炉内的温度在

1000‑1200℃范围内，在半导体材料的表面形成热

氧化膜，然后利用氮气对半导体材料进行冷却。通过将形成的热氧化膜去除，然后再低温形成二氧化硅钝化层，使得二氧化硅钝化层可以更好的附着在半导体材料的表面，同时通过HCl溶液与HF溶液的处理，进一步去除了Na离子对半导体材料的影响，使得半导体材料的钝化效果大大提升。

法律状态

法律状态公告日

2020-01-31 2020-01-31 2020-02-25

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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