专利名称：薄膜电晶体的制造方法专利类型：发明专利
发明人：苏大荣,高金字,许嘉哲申请号：CN200610065828.0申请日：20060323公开号：CN101043006A公开日：20070926
摘要：本发明是有关于一种薄膜电晶体的制造方法，是在形成一源极结构、一汲极结构、一通道结构后，不去除一第一光阻层，而直接于该第一光阻层上形成一第二光阻层，并藉以形成一半导体结构，并且，采用n型掺杂的非晶硅、多晶硅层或有机金属化合物取代金属作为该源极结构及该汲极结构的材料，以减少薄膜电晶体的制程步骤，因此可有效的提升阵列制程的制造良率，并进而降低液晶显示器的制造成本。
申请人：中华映管股份有限公司
地址：中国台湾
国籍：CN
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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