专利名称：一种GaO基透明导电薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：郑树文,郑涛,尚秋月,李述体申请号：CN201810770910.6申请日：20180713公开号：CN109082631A公开日：20181225
摘要：本发明涉及一种GaO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明制备的透明导电薄膜是通过往GaO薄膜中掺入Si和Ta元素后获得高浓度n型薄膜。本发明采用的薄膜沉积方法是激光脉冲沉积法，通过激光束轰击GaO基掺杂混合靶后在基片表面沉积出GaO基透明导电薄膜。本发明得到的GaO基透明导电薄膜具有较高载流子浓度（>4×10cm）和良好导电性，在深紫外至可见光区有高透光性（>82%），适合作紫外发光器件（如LED、LD）和日盲探测器等器件的窗口层和电极层材料等，有良好的应用前景。
申请人：华南师范大学
地址：510275 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
代理人：江裕强
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