专利名称：一种砷化镓量子点增强的红外探测器及其制备方法专利类型：发明专利发明人：庞倩桃
申请号：CN201611082048.7申请日：20161130公开号：CN106449859A公开日：20170222
摘要：本发明涉及一种砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器及其制备方法，该石墨烯/碲镉汞红外探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲镉汞层、石墨烯层及砷化镓量子点层，所述的红外探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲镉汞层；然后将石墨烯转移至碲镉汞层上；在石墨烯层上制备砷化镓量子点层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得红外探测器。本发明的砷化镓量子点增强的石墨烯/碲镉汞红外探测器利用砷化镓量子点引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲镉汞红外探测器。
申请人：庞倩桃
地址：528000 广东省佛山市三水区云东海街道
国籍：CN
代理机构：深圳市精英专利事务所
代理人：冯筠
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