[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200710169516.9[51]Int.CI.
H01L 21/66 (2006.01)G01N 21/956 (2006.01)G01R 31/28 (2006.01)
[43]公开日2009年5月13日[22]申请日2007.11.08[21]申请号200710169516.9[71]申请人久元电子股份有限公司
地址中国台湾新竹市[72]发明人汪秉龙 陈信呈 周明澔
[11]公开号CN 101431039A
[74]专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公
司
代理人陈肖梅 谢丽娜
权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 5 页
[54]发明名称
晶圆检测系统
[57]摘要
本发明涉及一种晶圆检测系统，包括步骤如下：加载一晶圆；定位该晶圆与一对应于该晶圆的地图档(map file)，其中该地图档为第一档案格式；检视该晶圆的外观；若该晶圆外观为不良，记录并修改该地图档的资料；以及储存该修改后的地图档。由此，可针对地图档直接做修改、标记的动作，可以有效节省检测的时程。
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权 利 要 求 书
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1.一种晶圆检测系统，其特征在于，包括步骤： 步骤1：加载一晶圆；
步骤2：定位该晶圆与一对应于该晶圆的地图档，其中该地图档为第一档案格式；
步骤3：检视该晶圆的外观；
步骤4：若该晶圆外观为不良，记录并修改该地图档的资料；以及
步骤5：储存该修改后的地图档。
2.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤1之后更包括一摆正该晶圆，且搜寻该晶圆的上边缘、下边缘、左边缘及右边缘的步骤。
3.如权利要求2所述的晶圆检测系统，其特征在于：在搜寻该晶圆的上边缘的步骤中，更包括搜寻该晶圆上边缘中心点的步骤。 4.如权利要求3所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤2中更包括计算该晶圆的外型，且将该外型对齐于该地图档的一坐标的步骤。
5.如权利要求4所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤2中，若无法对齐该外型与该地图档的该坐标，则载出该晶圆；若对齐，则进行步骤3。
6.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于：该晶圆包含多个晶粒。
7.如权利要求6所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤3中，
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反复移动该晶圆，且检视该每一晶粒的外观。
8.如权利要求7所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤4中，若一晶粒的外观为不良，则修改该地图档且标记该地图档中对应该晶粒的位置。
9.如权利要求7所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤4中，若该晶圆上有一刮痕，则标记该刮痕的端点于该地图档。 10.一种依权利要求9所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤4中更包括根据该刮痕的端点计算该刮痕的长度及面积。 11.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤5中，该修改后的地图档储存为第一档案格式。
12.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤5中，该修改后的地图档储存为第二档案格式。
13.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于：在步骤5之后，包括一载出该晶圆的步骤。
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说 明 书
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晶圆检测系统
技术领域
本发明涉及一种晶圆检测系统，尤指一种直接修改地图档以提高检测效率的晶圆检测系统。背景技术
在个人移动信息、电子商务、全球通讯以及数字家庭等电子化概念逐渐应用在现代生活的情况下，半导体生产制造工业同时因应各种应用端的需求而快速地成长。相对的，半导体制程中产能的提高，良率的提升亦是提升半导体工业的发展。
一般来说，为了在半导体基板上实现电路功能，该半导体基板必须经过以下步骤，例如金属层的沉积、利用黄光制程在每一层材料上制作图样、离子植入等相关制程。而为了确保每一制程的结果均能符合当初设计上的要求，则必须进行电路功能或物理结构上的检测。例如在沉积金属层的步骤之后，必须针对金属层的厚度、结晶性等进行确认的动作。
再者，在半导体制造制程完成之后，每一晶粒上的集成电路均会利用探针的方式进行电性量测的步骤。当发现某一晶粒的电性功能失效，则利用墨点的方式加以标记，而该些被标记的晶粒就不会进行封装的动作，以节省封装的材料。而在电性量测的步骤之后，更包括一人工检视外观的程序，以确保外观上并无缺陷、瑕疵等情况。 然而，现有的流程中，人工检视的结果并无法追溯到电性量测的结果，故两者在配合的衔接上有很大的不兼容的状况，使人工检视的时程影响到整体产能的输出，更可能造成检测结果的不精确。
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于是，本发明人有感上述缺陷的可改善，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，，提出一种晶圆检测系统，可针对地图档直接做修改、标记的动作，可以有效节省检测的时程。
本发明的另一目的在于，提出一种晶圆检测系统，可应用电子地图档的修改与纪录，避免人工纪录的错误情况。
为了达成上述目的，本发明提供一种晶圆检测系统，包括步骤如下：步骤1：加载一晶圆；步骤2：定位该晶圆与一对应于该晶圆的地图档(map file)，其中该地图档为第一档案格式；步骤3：检视该晶圆的外观；步骤4：若该晶圆外观为不良，记录并修改该地图档的资料；以及步骤5：储存该修改后的地图档。
本发明具有以下有益的效果：本发明提出的晶圆检测系统，让目视检测人员在发现晶圆或晶粒上出现外观瑕疵的情况下，直接修改加载的地图档，进而使检测结果得以快速地输入计算机，而提高检测制程速度。
再者，本发明可针对修改后的地图档输出为不同的档案格式，使后续制程得以更有效率的进行。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
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附图说明
图1为本发明晶圆检测系统的检测流程图； 图2为本发明晶圆检测系统的示意图； 图3为本发明中晶圆的示意图；
图4A为本发明所加载的地图档的示意图； 图4B为本发明修改后的地图档的示意图。 图中符号说明
1 晶圆 11 晶粒 2 晶圆检测系统 21 承载转盘 22 操控装置 23 影像撷取装置 24 显示装置 25 输入接口 具体实施方式
在生产线完成最后一道制程之后，必须将晶圆切割成单一的晶粒以进行封装的步骤。但在封装之前，必须检查每一晶粒的电性功能是否正常，亦即利用一电性量测探针，针对每一晶粒检测其电性功能是否正常，并将该检测的结果以一电子化的地图档的方式输出，通常该地图档为一特别的档案格式，在本实施例中，该档案格式为第一档案格式。现有的人工检查，无法以计算机化的方式作业，故操作员必须先以纸本进行记录。然而在本发明中，将人工检查的作业运用在一生产平台，使之可以直接读取该电子化的地图档，并直接将目视检查的结果记录在该地图档中。
请参阅图2，本发明提供一种晶圆检测系统2，该晶圆检测系统2主要应用于目视检查晶圆的检测系统，且该系统可用以读取一第一档案格式的地图档(map file)，并将该地图档与该对应的晶圆进行定位对齐之后，检测人员可依照其检测结果直接于该地图档上记录并加以
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储存，由此可快速地将其检测结果数字化，以加快其检测速度。其检测方法包括如下步骤(请同时参阅图2及图3)：
(a)提供一晶圆1，该晶圆1反复利用半导体制程成形多个晶粒11于其上，将该晶圆1加载至一晶圆检测系统2的承载转盘21上。该晶圆1在进入此一晶圆检测系统2之前，已经先行通过一电性测试阶段，该电性测试阶段主要针对每一个晶粒11进行电性特性，例如利用探针进行内存测试(memory test)、逻辑测试(logic test)等等。在该电性测试阶段之后，测试机台通常会针对测试不合格的晶粒11印上(inking)第一墨色以利后续切割及打线封装制程的进行。而在电性测试阶段之后，同时会输出一第一档案格式的地图档，以记录该晶圆1上每一晶粒11的电性测试结果。例如图4A所示，该地图档显示每一晶粒11的电性测试结果，而不同晶粒11上的标号则表示该晶粒11在电性测试阶段所出现的问题，亦即A、B、Q、3等仅是表示该晶粒11发生的错误情况而单点记号则表示该晶粒11通过电性测试的结果，并非用以限制本发明。故在此步骤中，加载该晶圆1至该承载转盘21上，并同时加载对应该晶圆1的地图档于该晶圆检测系统2的作业主机。 另一方面，该晶圆1可通过该承载转盘21移动至一影像撷取装置23的中心，该影像撷取装置23可为一CCD，但并不以此为限；并可通过设置于该晶圆检测系统2的显示装置24显示该晶圆1的画面。 (b)定位该晶圆1与该地图档。在此步骤中，必须将该晶圆1与该地图档相互定位，如此才能让操作人员在正确的地图档位置上进行标记。在本实施例中，该对位的程序可由下列动作进行晶圆1与该地图档的对齐，首先，摆正该晶圆1，并进而执行搜寻该晶圆1的上边缘、下边缘、左边缘及右边缘的步骤，而搜寻该晶圆1的上边缘的步骤中更进一步找出该晶圆1上边缘的中心点，由此可决定该晶圆1的外型，再根据该晶圆1的外型与该地图档相比对，如此可将该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴相互对齐。由此，当操作人员在该显示装置24上检测到不合格的晶粒11，即可直接在该地图档中进行标记与
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修改的动作。
另一方面，若根据该晶圆1的上边缘、上边缘的中心点、下边缘、左边缘及右边缘的资料，无法将该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴对齐，则载出该晶圆1。
(c)检视该晶圆1的外观；若该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴可相互对齐，则操作人员即可在该显示装置24中进行所述的晶粒11的目视检查。而该影像撷取装置23设有一倍率调整装置，操作人员可视实际的情况调整其显示的放大倍率，以能清楚地发现每一晶粒11的外观瑕疵。操作人员可通过设置于该晶圆检测系统2的操控装置22使该晶圆1相对于该影像撷取装置23进行位移，使该操作人员可每一列每一行地反复进行每一晶粒11的目视检测。
(d)若检测该晶圆1外观为不良，记录并修改该地图档的资料。在此步骤中，若操作人员于目视检测中发现任何外观上的瑕疵，应就该缺陷的位置进行标记，例如该晶圆1的外观有明显的刮痕或裂缝，则操作人员将该刮痕的起点、终点记录在该地图档中；又如图4A中，自右算起第五列，自下算起第五行的晶粒11为通过电性测试的晶粒11(在图4A标记为单点记号)，但在此检测步骤时被发现有外观上的问题，则该操作人员可由该晶圆检测系统2的输入接口25直接在该地图档上进行标记，而该操作人员可标记不同的记号或标号于所述的晶粒11，以对应于所述的晶粒11外观的瑕疵情况，如在图4B中被标记为F；而其它通过电性测试的晶粒11，亦出现外观瑕疵的情况而被加以标记。 此外，该晶圆检测系统2亦可装设有一点墨系统(图未示)，操作人员可在修改该地图档时，同时针对该外观具有瑕疵的晶粒11印上一第二墨色，以供后续人员或机台进行挑选制程。而此阶段的第二墨色可与之前电性测试的第一墨色不同，使两者(电性测试及外观测试)之间的测试结果可以清楚区别。
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该晶圆检测系统2可进行外观瑕疵面积或长度的估算，利用记录在地图档中的该刮痕的起点、终点的坐标位置，即可估计瑕疵面积或长度的大小。
(e)储存该修改后的地图档。当操作人员完成该晶圆1的目视检查，同时也将目视检查不合格的晶粒11位置标记于该地图档后，即可储存该修改后的地图档，请参考图4B。图4B显示操作人员所标记的外观不良的晶粒11，其用标号F显示于地图档中。而该储存步骤可将该修改后的地图档储存为第一档案格式，亦即储存为与加载的地图档相同的档案格式，以覆写该修改前的地图档；或该储存步骤可将该修改后的地图档储存为第二档案格式，亦即另行输出一个新的档案格式的地图档。
另一方面，由于晶圆1为易碎材质，且每一晶圆1上均有利用半导体方法所制造的集成电路，故为了保护晶圆1及其半导体结构，本晶圆检测系统2可加装自动取片系统，用以取代操作员直接用手拿取芯片，进一步达成保护芯片的功用。 综上所述，本发明具有下列诸优点：
1、具有较高的检测性，由于本发明可直接针对电性量测结果的地图档案做修改、标记的动作，可节省人工纪录再转成电子文件档的时间。
2、另一方面，由于本发明可读取地图档，并对齐该待检测晶圆与该地图档，使两者之间的位置清楚对应，进而减少位置对应错误造成必须重新检测的问题。
3、本发明可适用于大量生产的自动化产线，故具有较佳的生产效率及较高的产能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，非意欲局限本发明的专利保
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护范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所为之等效变化，均同理皆包含于本发明的权利保护范围内。
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说 明 书 附 图
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图1
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图2
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200710169516.9说 明 书 附 图 第3/5页
图3
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200710169516.9说 明 书 附 图 第4/5页
图4A
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200710169516.9说 明 书 附 图 第5/5页
图4B
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