专利名称：一种传感器芯片的制造方法专利类型：发明专利发明人：苏卫国
申请号：CN201910952655.1申请日：20191009公开号：CN110745776A公开日：20200204
摘要：本发明公开了一种传感器芯片的制造方法，包括：对支撑衬底朝向支撑衬底的一侧进行刻蚀形成参考压力腔，并在参考压力腔的中心区域形成支撑结构；将支撑衬底和结构衬底通过介质绝缘层键合在一起；在结构衬底形成弹性敏感膜结构，弹性敏感膜结构与参考压力腔和支撑结构所在区域重叠；从支撑衬底背向结构衬底的表面对所述支撑衬底进行刻蚀，以形成贯通至参考压力腔的引压孔并将支撑结构去除。本发明利用制程中的支撑结构，对所制备的弹性敏感膜结构进行支撑，避免了弹性敏感膜结构的变形，同时，本发明先在支撑衬底朝向结构衬底的一侧形成较浅的参考压力腔并在其侧壁形成刻蚀保护层，防止了参考压力腔尺寸的失控问题，保证了弹性敏感膜的尺寸精度。
申请人：无锡必创传感科技有限公司
地址：214024 江苏省无锡市南长区南湖大道789号B栋5楼
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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