专利名称:高电压瞬态电压抑制器芯片专利类型:实用新型专利
发明人:薄勇,刘亚东,安毅力,张超,王睿,艾传令,郝会振,孔祥
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申请号:CN201120551293.4申请日:20111226公开号:CN202423293U公开日:20120905
摘要:本实用新型涉及一种高电压瞬态电压抑制器芯片,芯片结构为PNN单向高电压瞬态电压抑制器或PNP双向高电压瞬态电压抑制器芯片,PNN单向高电压瞬态电压抑制器的芯片正面截层依次为:TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面;PNP双向高电压瞬态电压抑制器,芯片正面截层依次为:TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面;芯片主体结可使击穿电压达到250V-400V,而在芯片台面沟槽附近区域设计的辅助PN结,其击穿电压高于主体结击穿电压,使主体结区域先击穿,漏电流分布于主体结区域,而辅助结区域不发生击穿,从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大,击穿电压低,易损坏的问题,提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能,提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。
申请人:天津中环半导体股份有限公司
地址:300385 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号
国籍:CN
代理机构:天津中环专利商标代理有限公司
代理人:莫琪
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