专利名称：一种高纯砷晶体的制备方法专利类型：发明专利
发明人：董持衡,成者,涂畅,马衍伟申请号：CN201911382195.X申请日：20191227公开号：CN110923457A公开日：20200327
摘要：本发明提供了一种高纯砷晶体的制备方法，属于原材料提纯技术领域。本发明在250～295℃进行第一阶段保温，有助于AsO向AsO转化；在300～460℃进行第二阶段保温，使砷原料表面的AsO蒸发并随保护气排出提纯容器；在500～620℃进行第三阶段保温，使As升华形成砷蒸汽；再使提纯容器上、下部分温区按照不同的降温速率降温到300～460℃，使砷蒸汽可以缓慢凝结成晶体并长大，形成高纯砷晶体，同时砷原料表面及内部的AsO仍然保持气体状态，并随保护气排出容器，从而将砷原料内的氧化物分离出来。本发明方法工艺简单，成本低廉，且生产的砷晶体纯度高，呈现金属光泽，氧含量小于0.5ppm。
申请人：中国科学院电工研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所
国籍：CN
代理机构：北京高沃律师事务所
代理人：马小星
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