专利名称：时变容错域的感知联想记忆模型专利类型：发明专利发明人：杨国为
申请号：CN200510073772.9申请日：20050524公开号：CN1870017A公开日：20061129
摘要：本发明一种时变容错域的感知联想记忆模型，其特征在于，包括：5层神经元；第一层取输入元n个，记为A，A，Λ，A；第一隐含层有p－1个神经元组，且每组有2n个神经元，神经元顺序记为A(i)，i＝1，...，2n(p－1)；第二隐含层有个p－1神经元，顺序记为A，A，Λ，A；第三隐含层取p个神经元B，i＝1，Λ，p；输出层由m个神经元组成C，i＝1，Λ，m。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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