专利名称：存储器单元及存储器阵列专利类型：发明专利发明人：S·J·德尔纳,M·A·肖尔申请号：CN201780031470.6申请日：20170731公开号：CN109155312A公开日：20190104
摘要：一些实施例包含具有第一及第二晶体管及第一及第二电容器的存储器单元。所述第一电容器相对于所述第一晶体管竖直地移位。所述第一电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区电耦合的第一节点、与公共板结构电耦合的第二节点，及位于所述第一与第二节点之间的第一电容器介电材料。所述第二电容器相对于所述第二晶体管竖直地移位。所述第二电容器具有与所述第二晶体管的源极/漏极区电耦合的第三节点、与所述公共板结构电耦合的第四节点，及位于所述第一与第二节点之间的第二电容器介电材料。一些实施例包含具有2T‑2C存储器单元的存储器阵列。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王龙
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