JST08 型三、四象限双向晶闸管芯片

○ 芯片特征：双面台面结构（Double Mesa），台面玻璃钝化工艺，背面三层金属电极。 ○ 芯片尺寸：3.0mm×3.0mm T1T2○ 主要用途：交流马达调速、吸尘器、洗衣机、固态继电器 … ○ 可替换型号：BTA08/BTB08 G ○产品极限参数（封装成TO-220后，除非另有规定，TCASE =25℃） 参数名称 符 号 数 值 单 位 结温范围 Tj -40～125℃ 正向断态重复峰值电压 VDRM 600/800 V 反向断态重复峰值电压 VRRM 600/800 V 通态均方根电流 TC=110℃ IT（RMS） 8 A 通态浪涌电流 tp=20mS ITSM 80 A tp=16.7mS84 I2t值 tp=10mS I2t 36 A2S dI/dt 50 A/uS通态电流临界上升率 IG=2×IGT,tr≤100ns, F=100Hz 门极峰值电流 Tj=125℃ IGM 4 A 门极平均功率 Tj=125℃ PG（AV） 1 W ○ 产品电性能（封装成TO-220后，除非另有规定，TCASE =25℃） 特性和测试条件 符 号 数 值 单 位 TWSWCW BW C B 通态峰值电压 ITM=11A,tp=380uS VTM ≤1.55 V ≤5 uA IDRM1 正向断态峰值电流 TC=25℃ ≤1 mA IDRM2 VD=VDRM TC=125℃ 反向断态峰值电流 TC=25℃ ≤5 uA IRRM1 V=V T=125℃ ≤1 mA IRRM2 RRRMC 门极触发电压 VD=12V, RL=30Ω VGT ≤1.3 V 门极不触发电压 ≥0.2 V VGD VD=VDRM, RL=3.3KΩ,Tj=125℃ 门极触发电流 VD=12V, RL=30Ω IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)≤5 ≤10≤25 ≤50 ≤25 ≤50mA IGT (Ⅳ) IL（Ⅰ-Ⅲ） / ≤10 / ≤15≤10≥20 / ≤25 / ≤30≤15≥40 / ≤50 / ≤60 ≤35 ≥200 / ≤70 / ≤80 ≤50 ≤50 ≤40 ≤40 ≤80 ≤25 ≤100≤50≤50≤100≤50mA V/uS mA 擎住电流 IG= 1.2IGT IL（Ⅳ） IL（Ⅱ） IT0.2A IH 维持电流 = 断态电压临界上升率 Tj=125℃ dV/dt ≥1000 ≥200 ≥400 VD=2/3VDRM, 门极开路