什么叫刷新?为什么要刷新?说明刷新有几种方法。
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发布时间：2022-04-23 06:43
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热心网友
时间：2022-06-16 21:00
结合题可以更好地去理解，如果不是为了理解,是为了copy答案的话，你把后面解析抄上就行.和标答不一样,也有辨识度。
一个 8K × 8 位的动态 RAM 芯片，其内部结构排列成 256 × 256 形式，存取周期为 0.1 μ s 。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
解：采用分散刷新方式刷新间隔为 :2ms ，其中刷新死时间为： 256 × 0.1 μ s=25.6 μ s
采用分散刷新方式刷新间隔为： 256 × （ 0.1 μ s+ × 0.1 μ s ） =51.2 μ s
采用异步刷新方式刷新间隔为 :2ms
解析:
(1).设DRAM中电容的电荷每2ms（默认值）就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。
假设刷新1行的时间为0.1μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。
并假设按存储单元(1B/单元)分为行列。
（256×256个单元×1B/单元 = 2^16个单元×1B/单元 = KB内存<=>8K*8 ）。
集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.1μs×256对256行依次刷新。这将占用25.6μs。在这25.6μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。
补充一点给楼主：为什么刷新与存取不能并行？//：因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。//同理，刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行。
分散刷新：在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.1μs + 0.1μs = 0.2μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定，就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样，每有个读取操作，就会把0-63行（共计行）全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对行依次刷新，所以对于同一行，每次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是0.2μs × 256 = 51.2μs ＜2ms ， 在2ms丢失电荷前就会及时补充。
异步刷新：分散刷新的刷新周期256μs ，其实根本不需要这么频繁，有些浪费，异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。。对于每行以2ms为刷新周期足够了，//刷新循环到它需要256刷新次操作， 2ms ÷ 256 作为【每次刷新的周期】，（注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同：每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作，轮着刷新时，刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行，但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期：下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过次内存刷新周期才又轮得到它。）过256次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 256。但是这个时间并不是绑定在存取周期内，所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。//即一次刷新耗时2ms，但是一次刷新需要刷新256行.所以行与行刷新的时间为2ms/256.
参考自:
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热心网友
时间：2022-06-16 21:00
刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新；分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间；异步式：是集中式和分散式的折衷。
