共沉淀现象是怎样发生的?如何减少共沉淀现象?

发布网友 发布时间:2022-04-24 02:34

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热心网友 时间:2022-06-22 11:45

(1)表面吸附 表面吸附是由沉淀表面构晶离子的力场不平衡引起的。以AgCl沉淀为例,晶体内部的每个Ag+离子周围排布着6个Cl-离子,每个Cl-离子周围也排布着6个Ag+离子,力场处于平衡状态。晶体表面的每个Ag+(或Cl-)离子仅与5个相反电荷的构晶离子为邻, 从而导致力场不平衡。晶棱和晶角上构晶离子的力场不平衡状态更甚。力场不平衡的构晶离子具有吸附异电荷微粒的能力。例如, AgCl沉淀表面能吸附过量沉淀剂(NaCl)带进溶液中的Cl-离子形成吸附层,吸附层的Cl-离子还可以通过静电引力吸附溶液中的Na+离子和H3O+离子形成扩散层,扩散层中的部分离子还可因Cl-离子的强烈吸引力而进入吸附层。 吸附杂质的多少与沉淀的总表面积和溶液的温度有关。对同量沉淀而言, 颗粒越小比表面越大, 与溶液的接触面积越大, 吸附的杂质也越多。无定形沉淀的比表面特别大, 表面吸附现象也特别严重。由于吸附是放热过程, 因而提高温度有利于减少对杂质的吸附。 溶液中的离子可被沉淀表面吸附, 表面吸附的离子也可重新进入溶液。因而通过洗涤操作可使沉淀净化。 (2)吸留 沉淀生成速率太快, 导致表面吸附的杂质离子来不及离开沉淀表面, 而被后来沉淀上去的离子覆盖在沉淀内部的共沉淀现象叫吸留。洗涤方法不能除去由吸留造成玷污, 除去这类杂质一般通过沉淀陈化或重结晶的途径实现。 (3)混晶或固溶体的生成 晶形沉淀都有一定的晶体结构。如果溶液中存在与构晶离子电荷相同、半径相近的杂质离子, 晶格中构晶离子就可能部分地被杂质离子取代而形成混晶, 混晶是固溶体的一种。生成混晶的条件十分严格,但只要具备了条件,避免生成混晶也困难。例如,Pb2+离子和Ba2+离子的电荷和半径满足生成混晶的条件, 只要有Pb2+离子存在(不论其浓度多么低),BaSO4沉淀过程中难以避免生成BaSO4-PbSO4混晶。以混晶方式存在的杂质不能通过洗涤方法除去,陈化的方法也不奏效。如果有这种杂质, 只能在沉淀操作之前预先分离。

热心网友 时间:2022-06-22 13:03

当溶解度两近时就会发生共沉淀现象,这是不可避免的。
要减小共沉淀现象就必须改变某种物质的溶解度,即加大其溶解度差异。实现这一点并不难,如通过酸碱性控制、利用配合物生成等来实现。
如SO4(2-)和CrO4(2-)都可以与Ba(2+)生成沉淀,但可以提高溶液的酸度,使CrO4(2-)转化为Cr2O7(2-),这样就只有SO4(2-)生成沉淀了。
2CrO4(2-) + 2H(+) = Cr2O7(2-) + H2O
再如,Fe(2+)与Cu(2+)都与OH(-)作用生成沉淀,但如果控制NH3性溶液,则Cu(2+)不生成沉淀而生成配合物。共沉淀也不会发生。

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